教育

1980-1984	俄罗斯莫斯科库恰托夫原子能研究所物理学和数学博士
1974 - 1979	莫斯科“GIREDMET”外国语学院理学学士、理学硕士

传记

教授、理学博士及英博士。Paata J. Kervalishvili(出生于1949年)，格鲁吉亚技术大学物理系教授，第比利斯国立大学精确和自然科学系教授。

从1970年到1992年，Kervalishvili教授在前苏联原子能和武器工业主体的中央机械部(国家原子能委员会)的不同研究和技术中心(稳定同位素研究所，苏联国家稀有金属研究所，1994 - 1999年，在格鲁吉亚议会工作一年后，他在格鲁吉亚政府工作(担任国家科学技术委员会的国务卿，国家科学技术总统助理)

Kervalishvili博士是一名拥有技术大学文凭的凝聚态物理学家，他曾服务于多个物理和技术方向，如:凝聚态物质、分子和量子物理、核和激光技术、新材料、感觉系统、能源和信息技术。他是450多份科学出版物、书籍、手册和发明的作者，其中包括由IOS出版社、Pergamon出版社、施普林格出版的科学畅销书。

Kervalishvili教授是10多个顶级学院和研究委员会的成员，其中包括：美国、欧洲、俄罗斯和格鲁吉亚科学院、格鲁吉亚工程院和其他组织的正式成员。目前，他是格鲁吉亚自然科学院院长和欧洲地中海艺术与科学院院长。

Kervalishvili博士获得了20多个著名奖项和国家命令，其中包括苏联、格鲁吉亚、德国、意大利、不同的公共组织、科学院和大学（美国、希腊、俄罗斯、土耳其、罗马尼亚等）

作为多个(超过90个)世界银行、欧盟、ISTC等项目的主任和协调员，以及国际论坛和会议主席(超过60个)，以及一些著名的欧洲和美国大学的教授，他有广泛的国际经验。

P. Kervalishvili获得格鲁吉亚技术大学工程物理学学士和硕士学位。苏联国家稀有金属研究所授予他博士学位和英博士学位。1979年获苏联原子中心“库尔恰托夫研究所”物理学和数学博士学位(1985年)。1989年获得苏联国家教授称号。

研究兴趣

量子物理，感觉系统，凝聚态物质

科学活动

1. 苏联国家科学技术奖(1978,1983)
2. 苏联科学院金奖(1979年)
3. 荣誉勋章（格鲁吉亚，1999年）
4. 金鹰勋章和彼得大帝勋章(2001,2004)
5. 荣誉十字勋章(2003)
6. V.俄罗斯自然科学院Vernadsky荣誉勋章（2008）、荣誉徽章（MIT）、荣誉勋章（KPI）等

出版物

1. 低温下快电子和伽马射线辐照p型硅中的Frenkel对和杂质-缺陷相互作用，材料科学论坛，第258-263卷，第1部分，第575-580页，1997年。
2. 硅的中子合金化，测量慢中子通量的方法，苏联原子能，第70卷，第5期，第430-4311991页。
3. 硅的中子掺杂-热中子通量和超热中子通量的测量方法，Atomnaya Energiya，第70卷，第5期。5，第349-350页，1991。
4. 碳化硼和十二硼酸铝中氢、氮和氧杂质的行为，传感器和执行器：B.化学，第5卷，第1-4期，第261-263页，1991年。
5. 材料与氧反应中的同位素效应，苏联原子能，第68卷，第1期，第46-481990页。
6. 基于镉的中子吸收材料的效率，苏联原子能，vol. 63, no. 24，第794-797页，1987。
7. 激光辐射对等离子弧熔化碳化硼晶体表面结构的影响。材料处理的物理与化学，vol. 21, no. 25，页490 - 491,493,1987。
8. 利用敏感硼元素记录中子的原理，《苏联原子能》，第62卷，第2期。5，第412-414页，1987。
9. 脉冲co //2激光场中激光化学反应产生的硼薄膜结构。材料处理的物理与化学，vol. 21, no. 23，页250-252,1987。
10. 气相物质的激光沉积和光束场中的传质。材料处理的物理与化学，vol. 21, no. 23，页253 - 255,1987。
11. 晶体生长过程中界面角度与熔体凝固条件关系的热力学分析。《材料处理的物理与化学》，第20卷，第2期。3，页221-224,1986。
12. 激光加热靶在单晶衬底上传输的液滴的凝固，《材料处理的物理和化学》，第20卷，第1期，第19-211986页。
13. 含硼材料单晶晶格平均内电势的测定及其与功函数的关系，《较不常见金属杂志》，第117卷，第1-2期，第283-2861986页。
14. 通过解决斯特凡问题分析了定向凝固中单晶的生长条件。《材料处理的物理与化学》，第18卷，第2期。6，页594-598,1984。
15. 在锗中由于热处理而形成的氧络合物。,苏联物理学。半导体，第18卷，第2期9，第1077-1078页，1984。
16. 锂对热压碳化硼零件的影响，苏联原子能，第57卷，第1期，第489-4911984页。
17. 热处理对含锗位错中载流子复合的影响，密度为0-10**5 cm**-2.，苏联物理学。《半导体》，第16卷，第8期，第938-939页，1982年。
18. 锗/VZAIMODEISTVIE LITIYA S MNOGOZARYADNYMI AKTSEPTORAMI V Germani.中锂与多电荷受体之间的反应，IZV AKAD NAUK SSSR NEORG MATER，第V 18卷，第N 5期，第715-719页，1982年。
19. 锗中锑杂质的行为，《Neorganiceskie materialy》，第18卷，第2期，第189-1911982页。
20. 掺铜锗中的辐射缺陷，苏联物理学。《半导体》，第15卷，第7期，第727-729页，1981年。
21. 硼化铝中气体的行为，苏联原子能，vol. 50, no. 25，页314-315,1981。
22. 锗中锂杂质原子与辐射缺陷的相互作用，苏联物理学。《半导体》，第15卷，第1期，第55-57页，1981年。
23. 用焦拉尔斯基法提高晶体生长过程中熔体搅拌的可能性。， Neorganiceskie materialy，第16卷，第6期。10，页1727-1732,1980。
24. 锗中银杂质的行为。， Neorganiceskie materialy, vol. 15, no. 51979年，第12页2101-2104页。
25. 杂质及其配合物对切拉尔斯基法单晶生长结构的影响。， Tsvetnye metal，不。10，第61-63页，1979年。